FeRAM – neuer Speicher für die SSD-Technologie

Toshiba stellt schnellsten FeRAM-Speicherchip vor

Toshiba hat einen Speicherchip-Prototypen auf Basis der FeRAM-Technologie (Ferro electric RAM) vorgestellt. Laut Hersteller ist es der weltweit schnellste FeRAM-Chip mit der höchsten Speicherdichte.

Bei der Entwicklung der FeRAM-Chips haben die Techniker von Toshiba die sogenannte ChainFeRAM-Architektur modifiziert. Eine der größten Herausforderungen in der Konstruktion von FeRAM-Bausteinen sowie anderer nichtflüchtiger Speichertechnologien ist, dass sie kaum skalierbar sind. Mit den nun präsentierten Prototypen soll dieses Problem jedoch behoben worden sein. Es werden die Vorteile der schnellen Arbeitsweise von DRAM mit jenen von nichtflüchtigen Speichern wie Flash Memory kombiniert. Die Chips werden in 130-Nanometer-Technik gefertigt. Sie weisen einen Lese- und Schreibgeschwindigkeit von 1,6 Gigabit pro Sekunde und eine Speicherdichte von 128 Megabit auf. Mit dieser Entwicklung hat Toshiba zudem den bisher bei der FeRAM-Technologie gehaltenen Rekord von 32 Megabit Dichte sowie 200 Megabit pro Sekunde Lese- und Schreibgeschwindigkeit deutlich übertroffen.

Wie auf der ISSCC angekündigt wurde, wolle Toshiba die Kommerzialisierung der Chips rasch vorantreiben. Konkrete Pläne, wann die ersten Produkte auf dem Markt erhältlich sein werden, konnte das Unternehmen jedoch nicht nennen. Der Preis ist jedenfalls ein großes Problem für die Techniker. Brancheninsider zeigen sich jedoch begeistert von der technologischen Entwicklung. Waren FeRAM-Bausteine aufgrund ihrer technologischen Nachteile bisher auf Nischenanwendungen beschränkt, so können sie sich möglicherweise jetzt zu Universalspeichern entwickeln. Laut Entwickler sollen FeRAM-Chips als Hauptspeicher in Handys oder mobilen PCs eingesetzt werden, heißt es vonseiten des Unternehmens auf Anfrage von pressetext. Darüber hinaus soll die Technologie für das Caching sowie als Speicherelement in SSDs zur Anwendung kommen.

Alle gängigen Solid State Disks basieren aktuell auf der NAND-Technologie. NAND-Speichertypen unterscheiden sich durch die SLC- oder MLC-Technologie. SLC steht für Single Level Cell und bedeutet, dass eine Flash-Zelle auch nur ein Bit speichert. Dieses definiert sich durch einen festgelegten Spannungslevel. Beim Flash-Typ Multi Level Cell (MLC) lassen sich in einer Zelle aktuell zwei oder vier Bitzustände speichern. Zum Auslesen müssen aber verschiedene Vergleichsspannungen angelegt werden, die Performance sinkt. Allerdings erlauben MLC-Flash-Speicher höhere Kapazitäten. (pte/hal)