TI und Intel tun was für Moores Law

Sowohl Texas Instruments (TI) als auch Intel haben in ihrer Grundlagenforschung wichtige Durchbrüche erzielt, die eine weitere Miniaturisierung von Silizium-Halbleitern ermöglichen sollen.

Beide Konzerne präsentieren ihre Forschungsergebnisse heute auf dem VLSI Technology Symposium in Hawaii. TI will mittels Immersions-Lithographie (Belichtung von Wafern durch einen Wasserfilm hindurch) Speicherzellen realisiert haben, die 30 Prozent kleiner sind als die von Intel in Aussicht gestellten. Mit einem Prototyp für künftige 45-Nanometer-Fertigung gelang es dem Unternehmen aus Dallas, Speicherzellen in der Größe von 0,24 Quadratmikron zu produzieren. Diese sind etwa halb so groß wie bei TIs aktuellen 65-nm-Chips.

Intel hat bislang bei Strukturbreiten von 45 Nanometer Speicherzellen mit einer Fläche 0,346 Quadratmikron in Aussicht gestellt, das sind etwa 39 Prozent weniger als beim 65-nm-Prozess.

Intel seinerseits meldet Erfolge bei der Realisierung so genannter Tri-Gate-Transistoren. Diese arbeiten mit einer dreidimensionalen Struktur und (wie der Name schon sagt) drei Gates. Die elektrischen Signale fließen dabei nicht nur entlang der Ebene wie bei traditionellen planaren Transistoren, sondern auch entlang der beiden Seiten. Sie sollen deutlich geringere Leckströme produzieren und im Ruhezustand weniger unerwünschte Ströme aufweisen.

Das reduziere Wärmentwicklung und Stromverbrauch, so der Hersteller. Bei einer um 35 Prozent geringeren Schaltleistung erlaube dies einen 45 Prozent höheren Steuerstrom (für höhere Taktfrequenzen) oder um den Faktor 50 geringere Ströme im ausgeschalteten Zustand (für niedrigeren Stromverbrauch). Intel geht davon aus, die Technik irgendwann nach der 45-Nanometer-Fertigung produktiv einsetzen zu können. (Thomas Cloer/cvi)

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