Schnelle Flash-Speicher von Intel

Unter dem Namen Wireless Flash Memory hat Intel eine neue Flash-Speichergeneration speziell für Handys und drahtlose Internetgeräte vorgestellt. Eine niedrige Versorgungsspannung soll den Energieverbrauch senken, Read-while-Write-Fähigkeiten die Performance erhöhen.

Handys der dritten Generation für UMTS-Anwendungen sowie der Markt der Information Appliances (IAs) erfordern größeren und schnelleren Speicher. Neben der klassischen Sprachübermittlung sollen diese Devices vermehrt Daten übertragen, multimediafähig sein sowie sparsam mit Energie umgehen.

In heutigen Handys finden sich zumeist 8- und 16-MBit-Speicher-Bausteine. UMTS-Handys erfordern auf Grund des größeren Datenaufkommens mindestens 32 MBit.

Intels neue Wireless-Flash-Memory-Architektur will diesen Punkten Rechnung tragen. Die Chips werden in 0,18-µ-Technologie hergestellt und kommen mit einer Versorgungsspannung von 1,8 Volt aus. Intel beziffert die damit einhergehende Verringerung des Energieverbrauchs gegenüber herkömmlichen Flash-Modulen mit 60 Prozent.

Mit Intels neuer Wireless-Flash-Memory-Architektur sollen zukünftige Handys und drahtlose Internetgeräte dem zu erwartenden großen Datenaufkommen gewachsen sein.

Die neue Read-while-Write/Erase-Fähigkeiten erlauben ein gleichzeitiges Lesen und Beschreiben/Löschen des Speichers. Zudem unterstützt das Design schnelle Lesezugriffe bei 66 MHz mit einem synchronen Burst (70 ns initial/14 ns subsequent) und einem asynchronen Page Mode (70 ns initial/20 ns subsequent). Intel spricht von einer viel Mal höheren Performance gegenüber bisherigen Architekturen. Die so genannte Flexible Partition Architecture soll zudem ein flexibles Anpassen des Speichers für Betriebssystem und Daten in 4-MBit-großen Blocken erlauben.

32- und 64-MBit-Module liefert Intel ab Januar 2001, 128-MBit-Chips sollen dann im Herbst folgen. (fkh)