Scharfe Sache: Maskentechnologie
Lithografie mit Licht
Die Halbleiter-Hersteller kommen bei der Belichtung mit sichtbarem Licht längst nicht mehr aus. Zwar hat die unter anderem von Infineon verwendete i-Linie mit einer Wellenlänge von 365 Nanometern (nm) zurzeit noch den Status einer "Cash-Cow", dessen ungeachtet sind die Nachfolger bereits auf dem Markt. Hierzu gehört die 248-nm-Lithografie, die sich eines Krypton-Fluorid-Excimerlasers (KrF) bedient. Die vorläufig letzte Stufe der Lichtoptik ist die 193-nm-Linie, die sich mit Hilfe eines Argon-Fluorid-Excimerlasers (ArF) generieren lässt.
Molekül | Wellenlänge in nm |
---|---|
| |
XeF | 351...353 |
N2 | 337 |
XeCl | 308 |
Br2 | 291 |
XeBr | 282 |
KrF | 248 |
KrCl | 222 |
ArF | 193 |
CO | 181...197 |
ArCl | 175 |
Xe2 | 172 |
H2, D2, HD | 150...162 |
F2 | 157 |
Kr2 | 146 |
Ar2 | 126 |
Noch kürzere Wellenlängen von 157 nm lassen sich mit Fluor-Excimerlasern (F2) erzielen. Allerdings ist der damit verbundene finanzielle Aufwand beträchtlich: Während sich die Kosten für die Lithografie auf der Basis ArF "pro Maschine" auf 12 Millionen US-Dollar belaufen, sind für F2 bereits 30 Millionen US-Dollar fällig. Dazu kommt noch die Notwendigkeit, neue Masken- und Linsenmaterialien sowie neue Resistsysteme für 157 nm zu entwickeln.