Samsung stellt 4-Gbit-OneNAND-Flash-Speicher vor

Mit dem jüngsten Spross der OneNAND-Flash-Baureihe erweitert Samsung seine Produktpalette an OneNAND-Speicherchips von derzeit 128 Mbit bis auf 4 Gbit. Der Speicherhersteller entwickelte die OneNAND-Technologie speziell für Mobiletelefone, PDAs und Digitalkameras. Der Speicher arbeitet mit einer Betriebsspannung von 1,8 Volt und begnügt sich im Vergleich zu herkömmlichen 3,3-Volt-Speichern mit der halben Leistungsaufnahme.

Der 4-Gbit-OneNAND-Speicher erreicht laut Samsung über ein 66 MHz schnelles 16-Bit-Host-Interface eine Leseleistung von 108 MByte/s und eine Schreibrate von bis zu 10 MByte/s. Damit besitzt der Speicher eine um den Faktor vier höhere Lese-Performance als konventionelle NAND-Flash-Produkte und eine 60fach höhere Schreibgeschwindigkeit als die NOR-Flash-Technologie.

Der OneNAND-Speicherchip besteht aus einem NAND-Flash-Array mit angebundenem NOR-Flash-Interface und einer Steuerlogik sowie aus einem internen BufferRAM. Das BufferRAM stellt Speicherplatz für den Bootcode (BootRAM) und für die Daten (DataRAM) zur Verfügung. Zusätzlich besitzt Samsungs Flash-Speicher Sicherheitsfunktionen wie umfangreiche Schreibschutz-Features, internes 2-Bit-EDC/1-Bit-ECC-Verfahren und einen einmalig beschreibbaren Speicherbereich. Dieser One-Time-Programmable-Block (OTP) kann für Daten, die zur Erhöhung der Systemsicherheit dienen, genutzt werden. (hal)