Samsung: Schnellster DDR3-SRAM-Speicher
Nach eigenen Angaben verwendet Samsung bei der Fertigung des 32- und des 72-Mbit-DDR3-SRAMs konventionelle Methoden. Als zentrale Fertigungstechnik kommt die 248-nm-Krypton-Fluoride-Lithographie (KrF) zum Einsatz.
Der neue DDR3-SRAM-Speicher erreicht einen theoretischen Datendurchsatz von 1,5 Gbit/s. Um eine niedrige Leistungsaufnahme zu gewährleisten, arbeitet der Speicher mit einer Spannung von 1,2 V. Die Fläche der SRAM-Zelle beträgt 0,79 µm².
Erste Samples der 32-Mbit-DDR3-SRAM-Chips werden bereits zur Evaluierung ausgeliefert. Die 72-Mbit-Speicher-ICs sollen im zweiten Halbjahr 2003 in die Massenfertigung gehen. Als Absatzmarkt visiert das Unternehmen den High-End-Server- und Workstation-Markt an.
Weitere detaillierte Angaben zur DDR3-SRAM-Technologie will Samsung auf der ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) in San Francisco preisgeben.
Zusätzliche Informationen erhalten Sie in den Artikeln DRAM-Speichertypen im Detail und Alle Speichertypen im Überblick. (hal)
tecCHANNEL Preisvergleich & Shop |
|
---|---|
Produkte |
Info-Link |
Speicher |