Samsung: Schnellster DDR3-SRAM-Speicher

Der koreanische Halbleiter-Hersteller Samsung kündigte gestern den schnellsten SRAM-Speicher an. Er wird in einem 0,09-µm-Prozess gefertigt und basiert auf der Double-Data-Rate-3-Technologie.

Nach eigenen Angaben verwendet Samsung bei der Fertigung des 32- und des 72-Mbit-DDR3-SRAMs konventionelle Methoden. Als zentrale Fertigungstechnik kommt die 248-nm-Krypton-Fluoride-Lithographie (KrF) zum Einsatz.

Der neue DDR3-SRAM-Speicher erreicht einen theoretischen Datendurchsatz von 1,5 Gbit/s. Um eine niedrige Leistungsaufnahme zu gewährleisten, arbeitet der Speicher mit einer Spannung von 1,2 V. Die Fläche der SRAM-Zelle beträgt 0,79 µm².

Erste Samples der 32-Mbit-DDR3-SRAM-Chips werden bereits zur Evaluierung ausgeliefert. Die 72-Mbit-Speicher-ICs sollen im zweiten Halbjahr 2003 in die Massenfertigung gehen. Als Absatzmarkt visiert das Unternehmen den High-End-Server- und Workstation-Markt an.

Weitere detaillierte Angaben zur DDR3-SRAM-Technologie will Samsung auf der ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) in San Francisco preisgeben.

Zusätzliche Informationen erhalten Sie in den Artikeln DRAM-Speichertypen im Detail und Alle Speichertypen im Überblick. (hal)

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