40-nm-Speicherchips

Samsung präsentiert erste serienreife Speichermodule mit 40-nm-DRAM-Chips

Der Speicherchip-Spezialist Samsung stellt erste serienreife Speichermodule mit Speicherchips auf Basis der 40-nm-Technologie vor. Darüber hinaus erhielt der Hersteller für die Module im Rahmen des Intel Plattform-Validierungsprogramms die Zertifizierung für die GM45-Express-Mobile-Chipsätze.

Samsung rechte für die Zertifizierung einen 1-Gigabit-DDR2-Chip (x8) sowie ein entsprechendes 800 Megabit pro Sekunde schnelles 1-Gigabyte-DDR2-SODIMM ein. Der Hersteller betont, dass die Migration auf die 40-nm-Prozesstechnologie die bisher übliche Entwicklungszeit um 50 Prozent auf ein Jahr verkürzt. Auch plant das Unternehmen, seine 40-nm-Technologie zur Entwicklung eines 2-Gbit-DDR3-DRAMs zu nutzen. Die Massenproduktion dieses DRAM-Typs soll Ende 2009 starten.

Neulinge: Samsung präsentiert erste validierte Speichermodule in 40-nm-Technologie. (Quelle: Samsung)
Neulinge: Samsung präsentiert erste validierte Speichermodule in 40-nm-Technologie. (Quelle: Samsung)

Laut Samsung reduziert sich bei der neuen 40-nm-Prozesstechnologie um etwa 30 Prozent gegenüber DRAMs mit 50-nm-Strukturbreite. Zusätzlich soll die Produktivität um etwa 60 Prozent steigen. Darüber hinaus erhofft sich das Unternehmen, die 40-nm-Technologie für die Entwicklung von Ultra-High-Performance DRAM-Speicher der nächsten Generation wie DDR4 zu nutzen. (hal)