Samsung liefert erste 16-GBit-NAND-Flash-Musterspeicher in 50-nm-Technologie aus
Die ersten Muster dieses High-Density-NAND-Flash-Memories basieren auf einem Multi-Level Cell Design (MLC) mit einer Page-Größe von vier KByte zur Verbesserung der Lese- und Schreibeigenschaften. Verglichen mit dem herkömmlichen Zwei-KByte-Paging-System für MLC-NAND-Flash-Speicher lässt sich mit der neuen Page-Größe von vier KByte laut Samsung die doppelte Lesegeschwindigkeit sowie eine 150 Prozent höhere Schreibgeschwindigkeit erzielen.
Das Unternehmen erwartet, dass die frühe Markteinführung von NAND-Flash-Memories mit 16 GBit oder höheren Speicherkapazitäten die Entwicklung nicht flüchtiger Memory-Applikationen wie Flash-basierte Solid State Disks beschleunigt. Samsung will mit der Massenproduktion seines 16-GBit-NAND-Flash-Memories in 50-nm-Technologie planmäßig im ersten Quartal 2007 beginnen. (hal)
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