Samsung: Fully-Buffered-DIMMs Anfang 2005

Samsung Electronics hat einen FB-DIMM vorgestellt, der auf DDR2-Technologie basiert und über eine Kapazität von 1 GByte verfügt. Fully-Buffered-DIMMs sind die nächste Generation von Speichermodulen im Server- und Workstationbereich.

Das FB-DIMM unterstützt ausschließlich DDR2- und DDR3-Speicherbausteine. Jedes Modul besitzt neben den Speicherchips einen speziellen so genannten Advanced Memory Buffer (AMB). Dieser Baustein stellt über 24 differenzielle Leitungspaare, ähnlich wie bei der seriellen PCI-Express-Technologie, eine Verbindung zum Memory-Controller her.

Speicher der Zukunft: Samsung wird 2005 mit der Massenproduktion von FB-DIMMs beginnen. Quelle: Samsung

Diese Verbindungstechnik ermöglicht eine hohe Performance, Datensicherheit und Skalierbarkeit. Gegenüber der herkömmlichen parallelen Registered-DMM-Speichertechnologie bedeutet das in der Praxis: Erhöhung der Speicherkapazität um etwa den Faktor 24 und eine Vervierfachung der Speicherbandbreite.

Mit der Massenproduktion von FB-DIMMs will Samsung in der ersten Jahreshälfte 2005 beginnen. Weitere Details zur FB-DIMM-Technologie erfahren Sie in unserem Grundlagenartikel FB-DIMM: Revolutionärer Speicher für Server. (hal)

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