Samsung: Fully-Buffered-DIMMs Anfang 2005
Das FB-DIMM unterstützt ausschließlich DDR2- und DDR3-Speicherbausteine. Jedes Modul besitzt neben den Speicherchips einen speziellen so genannten Advanced Memory Buffer (AMB). Dieser Baustein stellt über 24 differenzielle Leitungspaare, ähnlich wie bei der seriellen PCI-Express-Technologie, eine Verbindung zum Memory-Controller her.
Diese Verbindungstechnik ermöglicht eine hohe Performance, Datensicherheit und Skalierbarkeit. Gegenüber der herkömmlichen parallelen Registered-DMM-Speichertechnologie bedeutet das in der Praxis: Erhöhung der Speicherkapazität um etwa den Faktor 24 und eine Vervierfachung der Speicherbandbreite.
Mit der Massenproduktion von FB-DIMMs will Samsung in der ersten Jahreshälfte 2005 beginnen. Weitere Details zur FB-DIMM-Technologie erfahren Sie in unserem Grundlagenartikel FB-DIMM: Revolutionärer Speicher für Server. (hal)
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