Samsung entwickelt QDR-SRAM-Speicher

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung tritt als fünfter Speicherhersteller dem QDR-SRAM-Konsortium (Quad Data Rate SRAM) bei. Bisher sind NEC, Micron, IDT und Cypress an der Entwicklung der schnellen Speicher beteiligt.

QDR-SRAM-Chips sind insbesondere für Netzwerkanwendungen wie Switches oder Router geeignet. Die ersten Typen mit 18 MBit hat Micron im September letzten Jahres auf den Markt gebracht. Sie können mit einem effektiven Takt von bis zu 333 MHz arbeiten und sollen im Vergleich zu DDR--SRAMs die Bandbreite bei bestimmten Anwendungen verdoppeln.

QDR-SRAM: Schneller Speicher für Router und Switches.

QDR-SRAM-Speicher besitzen zwei unabhängige DDR-Busse. Einer dient ausschließlich zum Schreiben, einer zum Lesen der Daten. Die Verdoppelung der Bandbreite ergibt sich bei Anwendungen, bei denen die Daten kurz gepuffert werden müssen. Beispiele sind Switches und Router, die eingehende Netzwerkpakete zwischenspeichern, analysieren und dann zur Zieladresse weiterleiten.

Eine weitere Leistungssteigerung von QDR-Speicher ergibt sich durch den möglichen 4-Word-Burst. Nach dem Übertragen der Adresse werden innerhalb von zwei Takten vier Datenpakete übertragen. Gegenüber dem gebräuchlichem 2-Word-Burst soll dies bis zu 30 Prozent höhere Datenraten bringen. Mit dem jetzigen Einstieg Samsungs erhält das QDR-SRAM-Konsortium einen kräftigen Schub. Schließlich ist das Unternehmen der weltgrößte Produzent von SRAM-Chips. Gemeinsam mit Samsung wollen NEC, Micron, IDT und Cypress schneller QDR-SRAMs mit 36 MBit Kapazität entwickeln. Samsung selbst will seine ersten 18 MBit-Chips im ersten Quartal 2002 auf den Markt bringen. QDR-SRAM-Speicher mit 36 MBit sollen im zweiten Quartal 2002 folgen.

Ausführliche Informationen zu Speichertechnologien finden Sie hier. (jma)