Samsung entwickelt 90-nm-Prozesstechnologie

Samsung Electronics hat einen neuen 90-nm-Logikprozess für die Fertigung von Sytems-on-Chip (SOCs) angekündigt. Laut Samsung trete man damit in das Zeitalter der Nano-Technologien ein und sichere sich einen Vorsprung im Bereich des Chip-Designs.

Kleinere Strukturen bedeuten geringere Herstellungskosten und eine höhere Verarbeitungsgeschwindigkeit bei gleichzeitig reduzierter Energieaufnahme. Bei dem neuen 90-nm-Prozess hat Samsung nach eigenen Angaben in mehreren Bereichen Durchbrüche erzielt: Dazu zählen das nur 1,6 nm dicke Gate-Dielektrikum, die effektive Gate-Länge von 70 nm, die Ultra-Shallow-Junction-Technologie sowie die Kupfer-Damascene-Technolgie, wobei für die Isolation der Metallisierungsebenen Dielektrika mit niedriger Dielektrizitätskonstanten (Low-k-Dielectrics) zum Einsatz kommen.

Die Verarbeitungsgeschwindigkeit verbessert sich gegenüber den heute verwendeten 0,13-µm-Prozesstechnologien (130 nm) um 30 Prozent. Außerdem steigt die Speicherdichte durch die Integration von SRAM-Zellen, die einen Platz von lediglich 1,25 µm² einnehmen. Gegenüber der heute üblichen Prozesstechnik reduziert sich damit der Flächenbedarf des auf den SOCs integrierten Speichers um 50 Prozent. Das wiederum führt zu deutlichgeringeren Fertigungskosten.

Samsung nutzt die neue Prozesstechnik zu Beginn für die Fertigung von CPUs, die in Mobiltelefonen zum Einsatz kommen. Die Serienfertigung mit Hilfe des 90-nm-Prozesses will Samsung im Jahr 2004 aufnehmen.

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