Samsung entwickelt 70nm-Produktionsverfahren für DDR2-SDRAM

Der koreanische Konzern will ab Mitte 2006 seine SDRAMs mit neuer 70nm-Produktionstechnik herstellen. Die Zahl der Chips auf dem Wafer will Samsung so verdoppeln.

Samsung hat den nach eigenen Angaben ersten 512 Mbit DDR2 SDRAM im 70nm-Verfahren hergestellt. Das sei weltweit das Herstellungsverfahren mit den kleinsten Strukturen in diesem Segment, teilte der Konzern mit. Die meisten DRAMs werden derzeit im 80- und 90nm-Verfahren produziert.

70 nm DRAM: Ab nächstem Jahr produziert Samsung seine DRAM-Speicher mit einem 70 nm Prozess.
70 nm DRAM: Ab nächstem Jahr produziert Samsung seine DRAM-Speicher mit einem 70 nm Prozess.

Zur Produktion nutzt Samsung die neu entwickelte Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitor-Technologie sowie eine 3D-Transistor-Architektur unter dem Namen "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor" (S-RACT). Mit den neuen Verfahren lässt sich die Zahl der Chips auf einem Wafer gegenüber der 90nm-Technik verdoppeln.

Erst zur Jahresmitte hatte Samsung ein DRAM-Produktionsverfahren mit 80 nm angekündigt. Bereits in der zweiten Jahreshälfte 2006 sollen die ersten Chips mit dem neuen Produktionsverfahren in Größen von 512 Mbit, einem und zwei Gbit hergestellt werden. (uka)

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