Samsung entwickelt 576-MBit-RDRAMs

Samsung Electronics hat die Entwicklung des nach eigenen Angaben ersten 576-MBit-RDRAM abgeschlossen. Die Speicherchips werden im 0,12-Mikron-Prozess gefertigt.

Der 576-MBit-Speicher arbeitet mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz und ist für den Einsatz in High-End-PCs, Workstations und Servern gedacht. Laut Samsung ist der neue RDRAM-Speicher etwa acht Mal schneller als PC133-SDRAM, und vier Mal schneller als DDR-SDRAM 266-Speicher.

Durch den Shrink von 0,15 auf 0,12 Mikron will Samsung den durch die Rambus-Architektur bedingten Größennachteil gegenüber SDRAM nahezu wett gemacht haben. Die benötigte Siliziumfläche sei nur noch etwa ein Prozent größer als bei herkömmlichem DRAMs

Laut Samsung können die 576-MBit-RDRAMs in einzelne Module eingebaut werden, die eine Kapazität von mehr als 1 GByte erreichen können. Die Fertigung der Module sei durch die herkömmliche Bestückung mit vier Speicherbänken kostengünstig. Samsung glaubt deshalb - und bedingt durch die höhere Ausbeute durch den 0,12-Mikron-Prozess - an einen konkurrenzfähigen Preis.

Die Serienfertigung der RDRAMs beginnt im zweiten Quartal 2002. Mit den 576-MBit-RDRAMs will Samsung Marktführer im Segment der Next-Generation-DRAMs werden. Der RDRAM-Umsatz soll von einer Milliarde US-Dollar im Jahr 2001 bis 2003 auf 2,5 Milliarden US-Dollar steigen.

Informationen zu Rambus-Speicher erhalten Sie im Artikel Rambus im Detail. Einen Überblick über verschiedene Speichertypen gibt der Artikel DRAM-Speichertypen im Detail. (uba)