Samsung bringt Low-Power-SDRAM mit 256 MBit

Nach eigenen Angaben hat Samsung mit der Produktion von Low-Power 256 MBit-SDRAM begonnen. Der verglichen mit herkömmlichem SDRAM teurere Speicher soll in PDAs und anderen mobilen Geräten zum Einsatz kommen.

Hergestellt wird das energiesparende SDRAM im 0,15-Mikron-Prozess. Low-Power-SDRAM von Samsung arbeitet mit 2,5 Volt, während andere Low-Power-SDRAMs nach Angaben von Samsung mit 3,3 Volt arbeiten.

Für gedrosselten Stromverbrauch sorgen neben der Niedrigspannung auch Power-Management-Funktionen wie Partial Array Self Refresh und Temperature Compensated Self Refresh. Beim Partial Array Self Refresh (PASR) wird nur die Speicherbank (oder die Speicherbänke) aufgefrischt, die auch Daten gespeichert hat. Beim Temperature Compensated Self Refresh (TSCR) sind die Refresh-Zyklen der SDRAM-Temperatur angepasst. Das heißt, je höher die Temperatur der SDRAMs, desto geringer die Anzahl der Refreshs.

Die Chips sind im so genannten Chip Scale Package verbaut. Damit trage man dem begrenzten Platz in mobilen Geräten Rechnung. Gegenüber dem TSOP (Thin Small Outline Package) für herkömmliches SDRAM spare man etwa 50 Prozent Platz.

Samsung hat im vergangenen Jahr die jetzt verwendete Low-Power-Spezifikation an die JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) übermittelt. Im März erteilte das Gremium die Freigabe. Bis zum Jahr 2002 will Samsung auf einen Marktanteil von 50 Prozent bei Low-Power-SDRAM kommen. Infineon produziert ebenfalls Low-Power-SDRAM (Mobile-RAM) mit 2,5 Volt, derzeit aber nur mit 128 MBit. Die 256-MBit-Produktion sei in Vorbereitung.

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