Nano-Transistor erhöht Energieeffizienz um Faktor 50

Strukturen im Nanometer-Bereich

Das Team habe bereits Strukturen bis hinunter zu zehn Nanometern beobachtet, das Material könne also als Alternative für eine weitere Miniaturisierung in der Elektronik interessant sein, so Wernersson.

Die Indiumarsenid-Transistoren seien auch interessant für eine Kommunikation in Frequenzbereichen bis zu 60 Gigahertz (GHz) statt den derzeit üblichen drei bis zehn GHz. Der höhere Frequenzbereich wäre theoretisch auch mit konventioneller Technologie erreichbar, so Wernersson zu pressetext. Allerdings käme der geringere Energieverbrauch hier besonders zu tragen. "Mit 60 GHz kann nur über kurze Entfernungen kommuniziert werden und beispielsweise nicht durch Wände", so Wernersson. Der Frequenzbereich sei geeignet, um die immer gängiger werdende drahtlose Kommunikation zwischen elektronischen Geräten im Haushalt zu rationalisieren. Daher wollen die Forscher in dieser Richtung weiterarbeiten.

Ähnlich gelagerte Forschungen gäbe es auch bei anderen Wissenschaftlerteams, unter anderem bei IBM, betonen die Schweden. Das Team in Lund habe aber den bisher größten Fortschritt gemacht. Ein Forschungsartikel zu den Ergebnissen wurde im Journal IEEE Electron Device Letters veröffentlicht. (pte/mzu)