MPF: Rambus XDR-DRAM 2006 in PCs

Rambus zeigt auf dem Microprocessor Forum die Roadmap der neuen XDR-DRAM-Generation. Mit bis zu 6,4 GHz Taktfrequenz sollen XDR-Module Bandbreiten von 100 GByte/s ermöglichen. 2006 soll XDR-DRAM in PCs verfügbar sein.

Erstmals zum Einsatz kommt XDR-DRAM voraussichtlich in Sonys Playstation 3. Elpida, Samsung und Toshiba lizenzierten die neue Speichertechnologie von Rambus ebenfalls und wollen erste XDR-Speicher bereits 2004 samplen. In PCs soll der neue Speicher im Jahr 2006 Einzug halten, wie Rambus jetzt auf dem Microprocessor Forum mitteilte.

Die notwendigen Vorkehrungen für dieses Ziel hat Rambus bereits durchgeführt: Spezifikation und Dokumentationen von XDR-DRAMs mit variabler Bitbreite, verschiedenen XDIMM-Modultypen, Steckplätzen, Taktgeneratoren sowie Puffern sind vorhanden.

XDR-Technolgie: XDR-DRAMs werden vom XDR IO Cell getauften Speicher-Controller angesteuert. Die Datenübertragung erfolgt mit 8 Bit pro Taktyzklus und pro Pin.

XDR-DRAM-Chips soll es mit einer variablen Datenbusbreite von 1 bis 32 Bit geben. Die Taktfrequenz beträgt dabei 3,2 GHz und lässt sich auf bis zu 6,4 GHz hochskalieren. Ein beispielsweise 16 Bit breites XDR-DRAM erlaubt damit Bandbreiten von 6,4 bis 12,8 GByte/s. Kernstück der XDR-Technologie ist der octal-pumped betriebene Datenbus. Bei einer realen Taktfrequenz von 400 bis 800 MHz werden pro Taktzyklus acht Bits mit der steigenden und fallenden Flanke übertragen. Dadurch ergeben sich die effektiv sehr hohen Taktfrequenzen von 3,2 bis 6,4 GHz. Aktuelles PC1066-RDRAM arbeitet mit einer Taktung von 533 MHz - durch Ausnutzung beider Flanken mit effektiven 1066 MHz.

Einsatzfähig: Auf dem Microprocessor Forum demonstriert Rambus erste Prototypen von XDR-DRAM.

Die zweite Neuerung sind die Differential Rambus Signaling Levels (DRSL). DRSLs arbeiten mit einem extrem niedrigen Signalhub von 200 mV. Die Signalpegel liegen bei einer Spannung von 1,0 und 1,2 V. Außerdem hat Rambus die bidirektional arbeitende Terminierung mit DRSL auf den Chip verlagert. Durch das Differentialsignal werden zwei Leitungen statt bislang eine pro Signal benötigt. Somit entfällt der Designvorteil der geringen Leitungsanzahl.

Speichermodule mit XDR-DRAM bezeichnet Rambus als XDIMMs. Die ersten Module bieten im Jahr 2006 eine Bandbreite von 12,8 bis 25,6 GByte/s. Dabei besitzen die XDIMMs den gleichen Formfaktor und Pin-Anzahl wie DDR2-Module. Die Roadmap von Rambus sieht in den folgenden Jahren XDIMMs mit 128 Bit Datenbreite und 6,4 GHz Taktfrequenz vor. Diese Module bieten dann eine Bandbreite von über 100 GByte/s.

Zusätzliche Informationen bietet der Report Rambus im Detail und die Roadmap: Speichertechnologien im Überblick. (cvi)