Motorola zeigt MRAM-Prototypen mit 1 MBit

Motorola hat den Prototypen eines 1 MBit fassenden MRAM-Speicherchips (Magnetic Random Access Memory) vorgestellt. Erste Muster der neuen Speichertechnik will das Unternehmen im Jahr 2003 ausliefern, die Massenproduktion soll 2004 beginnen.

MRAMs speichern die Informationen im Gegensatz zu DRAMs nicht mehr elektrisch, sondern magnetisch. Da die Magnetfelder auch nach dem Entfernen der Spannung erhalten bleiben, brauchen MRAMs keinen Refresh und behalten ihre Informationen auch bei ausgeschalteter Stromversorgung. Die einzelnen Zellen speichern dabei Information in magnetisch ausgerichteten Bereichen. Ausgelesen werden die Daten über die Änderung des elektrischen Widerstandes durch das Magnetfeld.

MRAM-Speicher sind sehr gut für mobile Geräte wie PDAs oder Mobiltelefone geeignet und können dort die langsamen und kostspieligeren Flash-Speicher ersetzen. Motorola erhofft sich in diesem Markt künftig lukrative Gewinne. Wie berichtet, entwickeln auch IBM und Infineon MRAM-Speicher.

Ausführliche Informationen zur aktuellen DRAM-Technik bieten die Reports So funktioniert DRAM und DRAM-Speichertypen im Detail. (jma)