MOSFET-IC für schnelles Schalten

Beim „KMB050N60P“ handelt es sich um einen N-Kanal-Enhancement-MOSFET-Chip, der für einen Strom von 50 Ampere ausgelegt ist. Das IC ist in Planar-Stripe-Technologie gefertigt und hat eine Spannungsfestigkeit von 60 Volt. Den maximalen On-Widerstand des Bausteins gibt First Components mit 22 Milliohm an. Der typische On-Widerstand liege sogar nur bei 18 Milliohm (bei 25 Ampere gemessen).

Der Leistungshalbleiter verträgt eine Single-Pulse-Avalanche-Energie von 493 Millijoule. Dank einer Gate-Kapazität von nur 1365 Picofarad eigne er sich besonders für schnelle Schaltanwendungen und induktives Schalten, so der Anbieter weiter. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Der robuste Chip könne beispielsweise in elektronischen Hochstromschaltern und linearen Netzteilen zum Einsatz kommen. Auch für Gegentakt-Endstufen in Motoransteuerungen empfehle er sich. Die maximale Verlustleistung bei 25°C beziffert First Components auf 120 Watt. Der Chip wird im TO-220AB-Gehäuse ausgeliefert und ist konform zu ROHS.

KEC Corporation ist Lizenznehmer der Vishay/Siliconix-Trench-MOSFET-Technologien. Die First Components GmbH bei München und Hofheim/Wallau ist europäischer Repräsentant des koreanischen Herstellers. (Detlef Scholz)