Intels zweite Fab für 300mm-Wafer eröffnet

Am Mittwoch hat Intels Werk in Neu Mexiko die Produktion von 300-Millimeter-Wafern aufgenommen. Die Fab ist damit schon die zweite Produktionsstätte für die großen Siliziumscheiben.

Auch wenn viele Berichte das "11X" genannte Werk als Intels erste 300mm-Fab bezeichnen werden, so ist sie doch schon Intels zweite Fab für die auch scherzhaft Pizza-Wafer genannten Scheiben. Intels Muster-Fab "D1C" in Hilsboro, Oregon, produziert schon seit dem Beginn des Jahres 2002 erste 300mm-Wafer, wie einer älteren Meldung zu entnehmen ist.

Die D1C dient jedoch vor allem der Erforschung neuer Fertigungsverfahren, stellt jedoch auch kommerzielle Produkte her. Die 11X in Rio Rancho ist ganz auf die Massenproduktion fokussiert. Dafür hat Intel insgesamt 2 Milliarden US-Dollar in das neue Werk investiert. Wie eine Halbleiter-Fabrik funktioniert, ist diesem Report über AMDs Fab30 in Dresden zu entnehmen, daher im folgenden nur die Eckdaten der 11X - zur Zahl der Waferstarts schweigt Intel traditionell.

Der Reinraum der neuen Fab ist über 18.500 Quadratmeter groß. Intels Fertigungs-Komplex in Rio Rancho verfügt jetzt insgesamt über Reinräume, die der Fläche von sechs Football-Spielfeldern entsprechen. Er stellt damit die mit Abstand größte Halbleiter-Fabrik der Welt dar.

Während des zweijährigen Baus der Fab 11X waren zeitweise über 3000 Menschen beschäftigt, die jeden Tag so viele Arbeitsstunden absolvierten, wie für zwei Einfamilienhäuser (nach amerikanischem Maßstab) nötig gewesen wären. Über 6700 LKW-Ladungen Beton wurden verbraucht, der größte Teil davon floss in das Fundament.

Kontrolliert wird die Fab 11X von über 300 Servern und 25 TByte Plattenkapazität, das Netzwerk ist mit 24 Meilen Glasfasern und 500 Meilen Kupfer verkabelt. Weitere 3,5 Meilen ist das im folgenden Bild zu sehende Transportsystem für die Wafer lang. Auf diesen "Mono-Rails" flitzen 165 Wafer-Lohren durch die Fab.

Reinraum der 11X: Oben rechts in blau ein Wagen des Transportsystems, in den die orangen Behälter gehängt werden.

Bild: Intel

Als modernes Halbleiterwerk verbrauche die Fab 11X laut Intel 40 Prozent weniger Energie, als eine Fab der 200-Millimeter-Ära. Auf den einzelnen Chip umgerechnet sollen 48 Prozent weniger chemische Abfälle zusammenkommen. Derzeit wird die Kapazität des neuen Werkes im 130-Nanometer-Prozess nach oben gefahren, im Jahr 2003 wird es auf Strukturbreiten von 90 Nanometern umgestellt. (nie)