Intel validiert DDR333 für Granite-Bay

Samsung verkündet in einer Pressemitteilung stolz, dass Intel die DDR-333-Chips des koreanischen Herstellers für seine Chipsätze erfolgreich getestet hat. Damit ist der Weg geebnet, dass Intels erster Chipsatz mit zwei DDR-Kanälen auf den Markt kommen kann.

Wie üblich spricht Intel nicht über zukünftige Produkte. Auf der Computex war im Juni jedoch schon der Chipsatz "Granite-Bay" für zwei DDR-333-Kanäle hinter verschlossenen Türen zu sehen. Die gewöhnlich gut unterrichteten Kreise nennen inzwischen das vierte Quartal für die Markteinführung - laut AsiaBizTech ist es sogar schon im Oktober so weit.

Samsung kann durch die enge Zusammenarbeit mit Intel seine Führungsrolle bei der DRAM-Entwicklung weiter ausbauen. Intels Chief Technology Officer Pat Gelsinger sprach im tecCHANNEL-Interview sogar für das umstrittene DDR400 von "einem" DRAM-Hersteller, der sporadisch liefern könne. Nun ist klar, wen Gelsinger meinte.

Intel arbeitet wie schon bei DDR266 mit der JEDEC zusammen, um die Spezifikationen für DDR333 noch etwas zu verfeinern. Das kann aber ohne kooperierende DRAM-Hersteller nicht funktionieren. Wenn die Designs von Samsung schon jetzt Intels hohen Ansprüchen an robuste Schaltungen und Kompatibilität entsprechen, haben die anderen Speicherhersteller das Nachsehen.

Bis jetzt gibt es jedoch kein Logo, das dem Kunden anzeigen würde, welcher Ausgabe der DDR-Spezifikationen ein Modul entspricht. Immerhin veröffentlicht VIA inzwischen Kompatibilitätslisten, was vermutlich auch Intel für den neuen Speicher einführen wird. (nie)