Intel produziert erste 45-nm-Chips

SRAM mit einer Milliarde Transistoren

Bei dem jetzt vorgestellten Testchip handelt es sich um einen SRAM-Speicher mit knapp 20 MByte Kapazität. Da für jedes SRAM-Bit sechs Transistoren benötigt werden, kommt man zusammen mit der Managementlogik so auf eine Anzahl von über einer Milliarde Transistoren.

Intel wählt zur Erprobung eines neuen Fertigungsprozesses stets SRAM-Speicherchips als Testmuster. Durch ihren regelmäßigen Aufbau vereinfacht sich das Design erheblich und die Analyse von Fehlern im Herstellungsprozess fällt leichter. Dennoch betonte Mark Bohr, der bei Intel für die Entwicklung neuer Herstellungsverfahren verantwortlich ist, dass der 45-nm-Speicher bereits alle Features des P1266-Prozesses nutzen würde.