Intel: Neue Materialien verhindern Leckströme

Intel will mit neuen Materialien Leckströme am Transistor-Gate eindämmen und damit zur Lösung des Problems der Wärmeentwicklung bei immer kleiner werdenden Gates beitragen.

Um welche Materialien es sich handelt, hat Intel noch nicht bekannt gegeben. Das will Intel-Fellow Robert Chau beim International Workshop on Gate Insulator am Donnerstag in Tokio nachholen.

Intel ließ lediglich verlauten, dass der Leckstrom mit dem neuen Material für die Isolierung im Vergleich zum bisher eingesetzten Silizium-Dioxid um das Hundertfache sinken soll. Allerdings erfordere der Ersatz für Silizium-Dioxid als Isolierung auch neues Material für das Gate selbst. Intel spricht vage von Metallen, die dafür zum Einsatz kommen.

Eingeführt wird die neue Technologie im Jahr 2007. Dann will Intel den Fertigungsprozess mit 45-Nanometer-Technologie einführen. Bereits beim IDF hat Intel Details zu künftigen Technologien genannt. Unter anderem zum Tri-Gate, dass ebenfalls 2007 zum Einsatz kommen soll, wir berichteten.

Zusätzliche Informationen bieten die Reports Die Jagd nach dem 15-Nanometer-Transistor und Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie. (uba)

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