Intel meldet Fortschritte bei der EUV-Lithographie

Intel sieht sich damit, was die EUV-Technik betrifft, den Bereich der Forschung verlassen und in die Entwicklungsphase eintreten. Die EUV-Technik soll kleinere Strukturbreiten ermöglichen, wenn die herkömmliche Lithographie ihre Grenzen erreicht hat, was nach Einschätzung von Intel in wenigen Jahren der Fall sein wird. Im Jahr 2009 soll die EUV-Technik in der Massenfertigung eingesetzt werden.

Mit dem EUV Micro Exposure Tool (MET) und der Pilotanlage zur Herstellung von EUV- Masken werden Schaltkreise mit Strukturen von rund 30 Nanometer möglich. "Wir machen Fortschritte bei der Umsetzung der EUV-Lithographie in die Produktion für den 32-nm-Prozess im Jahr 2009", sagte Ken David, Director of Components Research der Intel Technology and Manufacturing Group.

Die EUV-Technik bietet deutlich kürzere Wellenlängen für die Belichtung. Die EUV-Lithographie verwendet Licht mit einer Wellenlänge von nur 13,5 nm. Zum Vergleich: Heute eingesetzte Verfahren nutzen Licht der Wellenlänge 193 nm. Die EUV-Technik könnte sich damit zur geeigneten Lösung für die Herstellung zukünftiger Chips entwickeln, hofft Intel.

Die EUV-Technik hat aber immer noch mit Problemen zu kämpfen. Intel will mit dem MET zwei Aufgaben angehen. Dazu gehört die chemische Zusammensetzung des Fotolacks für das Bedrucken der Chips. Außerdem soll die Auswirkung von Maskendefekten beobachtet werden. Das sind Mängel in der Maske, mit der das Schaltkreismuster auf den Chip übertragen wird. (uba)