Intel erzielt Fortschritt in der 65-Nanometer-Forschung

Die Gates der einzelnen Transistoren besitzen eine Länge von 35 nm und sind damit rund 30 Prozent kleiner als die von 90-nm-Chips. Der nun vorgestellte Chip ist eine Weiterentwicklung eines im November 2003 vorgestellten Modells. Damals hatte Intel einen SRAM-Baustein mit 4 MBit präsentiert, wie tecCHANNEL berichtete. SRAM wird als Cache in Prozessoren integriert. Der jetzt vorgestellte Chip passt auf einen Die mit einer Größe von 110 mm².

Mit Strained Silicon wird die Atomstruktur im Transistor für eine höhere Elektronenmobilität verändert. Mit dieser Technik werden Transistoren schneller und können mehr Strom schalten. Laut Intel verbessert die zweite Generation von Strained Silicon für den 65-nm-Prozess die Transistorleistung um etwa 10 bis 15 Prozent ohne dabei die Leckströme zu erhöhen. Alternativ lassen sich mit dieser Technik bei gleichbleibender Transistorleistung die Leckströme auf ein Viertel reduzieren. Somit bieten die Transistoren eine verbesserte Leistung ohne die Leckströme deutlich anzuheben. Höhere Leckströme würden mehr Wärme produzieren - ein unerwünschter Effekt.

Für die Verbindung werden acht Kupferschichten und Low-K-Materialien verwendet. Der Chip enthält auch die Stromsparfunktion "sleep Transistors". Diese bewirkt, dass nicht benötigte Bereiche abgeschaltet werden und so keinen Strom verbrauchen.

Laut einem Sprecher von Intel sollen Prozessoren auf 65-nm-Basis bereits 2005 ausgeliefert werden. Der Durchbruch beweise, so der Sprecher weiter, dass Moore's Law auch für die 65-nm-Technologie gilt.

Informationen zum Thema finden Sie in dem tecCHANNEL-Artikel "Die Jagd nach dem 15-Nanometer-Transistor". Intel hat auf seiner Website detaillierte Infos zum 65-nm-Prozess. (mja)