Intel entwickelt Ultra-Low-Power-Prozess
P1265: Verlustströme 1000 Mal geringer
Mit dem Ultra-Low-Power-Prozess P1265 führt Intel Modifikationen an den Transistoren zur Reduzierung der Leckströme durch: dickere Gate-Isolationsschicht für geringeren Gate-Oxid-Leckstrom (gate oxid), Anhebung der Transistor-Schwellspannung für geringeren Leckstrom zwischen Source und Drain im ausgeschalteten Zustand (sub-threshold) und weniger Verluste ins Substrat durch Übergänge mit wenig Fehlstellen (junction).
Laut Mark Bohr, Senior Fellow and Director Intel Process Architecture and Integration, sind die Leckströme beim P1265-Prozess um den Faktor 1000 geringer als beim Standard-65-nm-Prozess. Damit sollen Komponenten für Notebooks und mobile Devices möglich sein, die die Akkulaufzeit deutlich steigern. So hohe Taktfrequenzen wie beim P1264-Prozess sind durch die Modifikationen des Ultra-Low-Power-Prozesses nicht erreichbar – dies ist aber auch nicht das Ziel.
Wann genau im Jahr 2006 Intel erste serienreife Prozessoren und Halbleiterkomponenten mit dem Ulra-Low-Power-Prozess auf den Markt bringt, wurde nicht bekannt gegeben. Noch 2007 beginnt Intel bereits mit der Chipfertigung in 45-nm-Strukturbreite. Die Transistoren operieren dann über ein nur noch 20 nm langes Gate. Im Jahr 2009 sollen dann erste Produkte im 32-nm-Prozess folgen. (cvi)
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