Intel entwickelt Ultra-Low-Power-Prozess

Intel gibt die Entwicklung einer speziellen Ultra-Low-Power-Technologie auf Basis seiner 65-nm-Fertigung bekannt. Der zusätzliche 65-nm-Prozess mit der Bezeichnung P1265 soll längere Akkulaufzeiten in Notebooks und mobilen Geräten ermöglichen.

Erste Prozessoren mit dem „normalen“ 65-nm-Prozess P1264 werden Anfang 2006 mit Yonah augeliefert. Yonah gilt als Nachfolger des aktuellen Pentium M „Dothan“ und arbeitet mit der Dual-Core-Technologie. Lauffähige Samples präsentierte Intel bereits auf dem Intel Developer Forum im Frühjahr 2005.

Intel bezeichnet den P1264 auch als High Performance 65 nm Process. Die Fertigungstechnologie sei für Komponenten mit hoher Performance bei gleichzeitig niedrigem Energieverbrauch optimiert. Den jetzt von Intel angekündigten Ultra-Low-Power-Prozess P1265 auf Basis der 65-nm-Technologie sieht Intel für Prozessoren und Speicherchips mit besonders niedrigem Energieverbrauch vor. Mit P1265 entwickelt Intel somit erstmals einen eigenen Fertigungsprozess für seine Low-Power-Komponenten.

Nutzlose Ströme: Drei Arten von Leckströmen sind hauptverantwortlich für die Verlustleistung von Prozessoren. Diese reduziert Intel beim Ultra-Low-Power-Prozess.
Nutzlose Ströme: Drei Arten von Leckströmen sind hauptverantwortlich für die Verlustleistung von Prozessoren. Diese reduziert Intel beim Ultra-Low-Power-Prozess.



Ein Hauptproblem für den hohen Energiebedarf von Halbleiterkomponenten wie Prozessoren sind die Leckströme der Transistoren. Hierzu zählen insbesondere die Leckströme mit der Bezeichung „sub-threshold“, „junction“ und „gate oxide“. Selbst wenn ein Transistor auf „nicht leitend“ geschaltet ist, fließt dieser Leckstrom. Die Leckströme führen zu einer hohen Verlustleitung und erhitzen den Siliziumchip stark. Ein entsprechender Aufwand ist für die Kühlung der Halbleiter notwendig. Bei aktuellen 100-Watt-Prozessoren beträgt der Leckstromanteil bereits bis zu 40 Watt.