Intel entwickelt Quantenschacht-Transistor

Intel und Qinetiq, ein Spin-off des britischen Verteidigungsministeriums, haben einen Transistor vorgestellt, der bei geringerem Energieverbrauch schneller schaltet als herkömmliche Halbleiter.

Der "Quantenschacht-Transistor" besteht aus "Indiumantimonid" (InSb) und wird bereits seit zwei Jahren entwickelt.

InSb-Transistor: Die neue Technologie ermöglicht Chips, die mit sehr niedriger Versorgungsspannung auskommen. Quelle: Qinetiq

Indiumantimonid ist laut Ken David, Director of Components Research der Technology and Manufacturing Group bei Intel, ein Beispiel für ein neues Material, mit dessen Hilfe sich das nach Intel-Mitbegründer Gordon Moore benannte Moore'sche Gesetz auch im kommenden Jahrzehnt fortschreiben lässt. Gemäß dieser Regel verdoppelt sich die Komplexität von integrierten Schaltkreisen alle 18 Monate.

Qinetiq hat Indiumantimonid zunächst im Rahmen eines Projekts des britischen Verteidigungsministeriums entwickelt. Das Material ermöglicht Transitoren, die mit einer vergleichsweise sehr niedrigen Versorgungsspannung von 0,5 Volt arbeiten können und geringe Schaltzeiten aufweisen. Die so gefertigten Transistoren sollen bei gleicher Leistung nur ein Zehntel der Energie herkömmlicher Bauteile aufnehmen. Bei gleicher Energieaufnahme bieten sie laut Hersteller eine dreimal höhere Geschwindigkeit.

Detailliert ist die Technologie im Papier"Novel InSb­based Quantum Well Transistors for Ultra­High Speed, Low Power Logic Applications" beschrieben, das Intel im vergangenen Jahr auf der Intenational Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology in Peking vorgestellt hat.

In der tecCHANNEL-Rubrik Technologie/Halbleiter finden Sie zahlreiche Artikel rund um das Thema Halbleiterforschung und -produktion. (Alexander Hüls/mec)

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