Infineon zeigt lauffähiges DDR-II-SDRAM

Der deutsche Chiphersteller Infineon zeigt ein erstes lauffähiges Silicon von DDR-II-SDRAM. Die Fertigung erfolgt bereits auf einem 0,11-µm-Prozess. Finale Speichermodule sollen 2004 auf den Markt kommen.

Bei DDR II handelt es sich um eine Weiterentwicklung aktueller DDR-SDRAMs. Die Core-Spannung wird dabei von 2,5 V bei aktuellen DDR-Speichern auf 1,8 V gesenkt. Die Stabilität von DDR-II-Bausteinen soll sich durch eine On-Die-Terminierung deutlich erhöhen. Aktuell findet sich die DDR-II-Spezifikation in der Revision 0.6. Die finalen Spezifikationen sollen der JEDEC bis Ende 2003 vorliegen.

Laut Infineon wird DDR-II-SDRAM 2004 mit Taktfrequenzen von 400 und 533 MHz debütieren (per DDR). Versionen mit 667 MHz sollen 2005 folgen. Dabei wird es Module mit 256, 512 und 1024 MByte Kapazität geben. Infineon will die DDR-II-Chips in x4-, x8- und x16-Organisation anbieten. Die Zahl steht für die Anzahl der parallelen Speicherfelder in einem IC. Bei einer Organisation von x8 besitzt der Chip intern acht parallele Speichermatrizen. Die Angabe für die Anzahl der Speicherfelder entspricht gleichzeitig der Datenwortbreite des ICs - pro Speicherfeld ist ein Datenpin vorhanden.

DDR-II-SDRAM soll 2004 in Desktop-PCs, Servern und Notebooks Einsatz finden. Besonders im Mobile-Bereich ist der niedrige Energieverbrauch von DDR-II interessant. Da die Core-Spannung quadratisch in die Leistungsaufnahme eingeht, benötigt ein DDR-II-400-Speicher nur zirka die Hälfte der Energie von DDR400. (cvi)

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