Infineon & Micron: RLDRAM kommt 2002

Infineon und Micron werden US-Berichten zufolge Ende nächsten Jahres den neuen Speichertyp Reduced Latency DRAM (RLDRAM) auf den Markt bringen. Er ist speziell auf Netzwerk-Applikationen wie Switches oder Router ausgelegt, die auf schnellen Speicherzugriff angewiesen sind.

Wie berichtet, hatten die beiden Unternehmen im Mai eine Kooperation zur Entwicklung der DRAM-Speicher mit reduzierter Latenzzeit geschlossen. RLDRAM basiert auf einer neuen internen Speicherarchitektur und soll die Latenzzeit auf 22,9 Nanosekunden reduzieren. Zum Vergleich: Die Latenzzeit von PC-133-SDRAM liegt bei etwa 44 Nanosekunden. RLDRAM soll damit die Lücke zwischen SRAM und DRAM schließen.

Der Datentransfer erfolgt mit bis zu 300 MHz (600 MBit/s). DDR-Versionen kommen entsprechend auf 600 MHz. RLDRAM besitzt acht interne Speicherbänke. Bei einem sequenziellen Zugriff auf die Bänke wird laut Infineon eine Bandbreite von 19,2 GBit/s erreicht. Der neue Speicherchip arbeitet mit einer Spannung von 1,8 bis 2,5 Volt für das Speicher-Array und mit 1,8 Volt für den I/O-Bereich. Standard-SDRAMs benötigen 3,3 Volt.

Die Massenproduktion der RLDRAM-Chips soll im vierten Quartal 2002 starten, sagte Microns zuständiger Marketing-Manager Gerald Johnson gegenüber EBN. Infineon werde erste Muster bereits im ersten Quartal 2002 fertigen, Micron wenig später. (jma)