Infineon und Micron entwickeln RLDRAM

Infineon und Micron wollen gemeinsam DRAMs mit reduzierter Latenzzeit entwickeln. Ein Abkommen für die so genannten Reduced Latency DRAMs (RLDRAM) haben die Unternehmen bereits unterzeichnet.

Die Hochleistungs-Speicherbausteine sollen für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen entwickelt werden, die auf schnellen Speicherzugriff angewiesen sind. Anfangs ist geplant, dass die Speicherbausteine mit Datenraten von bis zu 600 MBit pro Sekunde und Pin arbeiten. Zudem ist eine Latenzzeit angestrebt, die im Vergleich zu anderen Architekturen "deutlich geringer ist", teilte Infineon mit. Die Latenzzeit von PC-133-SDRAM gibt Infineon mit 43,5 ns an. Damit ist die gesamte Zeit vom Beginn des Speicherzugriffs bis zum Bereitliegen der Daten am Ausgang gemeint. Bei RLDRAM verkürze sich die Zeit auf 22,9 ns. Weitere Informationen zu RLDRAM finden Sie hier bei Infineon.

Die interne Speicherarchitektur soll die Lücke zwischen dynamischen und statischen RAMs (SRAM) schließen. SRAM kommt ohne Refresh-Zyklen aus, hat dafür aber eine geringere Packdichte der Speicherzellen, da vier Transistoren pro Bit erforderlich sind. Bei DRAM genügt ein Transistor pro Speicherzelle.

Infineon und Micron wollen RLDRAM zum Industriestandard für Hochleistungs-Speicherbausteine machen. Das Abkommen sieht vor, dass Infineon und Micron gleichermaßen zum System-Know-how und zur Weiterentwicklung der Produktlinie beitragen und pin- und funktionskompatible RLDRAMs entwickeln. Diese könnten dann von verschiedenen Herstellern produziert und angeboten werden. (uba)