Infineon stellt DRAM-Prozess mit 70 nm vor

Infineon vermeldet die Entwicklung einer 70-nm-Prozesstechnologie für künftige DRAM-Generationen. Die Technologie basiert auf Deep-Trench-Zellen und 300-mm-Wafern und stellt laut Infineon einen Durchbruch bei der Erforschung kleinerer Strukturbreiten dar.

Beim IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2004 in San Francisco (13. bis 15. Dezember) hat Infineon die Technologie vorgestellt. Laut Infineon werden derzeit etwa 25 Prozent der weltweiten DRAM-Produktion mit Trench-Technologien gefertigt. Die Weiterentwicklung von Infineon nutzt erstmals ein High-k-Dielektrikum (Al2O3) im Trench-basierten DRAM-Fertigungsprozess.

Deep-Trench: Bei der Technologie reicht das Verhältnis zwischen Tiefe und Breite bis zu 70:1. Dadurch sind auch bei kleinen Strukturen große Speicherkapazitäten möglich. Quelle: Infineon

Die Verwendung von dielektrischen Materialien zwischen den Kondensatorplatten führe zu einer wesentlichen Erhöhung der Kapazität und damit zu Kondensatoren mit kleineren Abmessungen.

Zu den weiteren Technologien, die Infineon zur Optimierung eingesetzt hat, zählen nach Angaben des Herstellers auch das symmetrische "Checkerboard"-Zell-Layout , das Vorteile bei der Lithographie und bei Ätzprozessen biete. Zudem hat Infineon mit mit dem Einsatz von kugelförmigen Siliziumablagerungen, "Hemispherical Silicon Grains" (HSG), experimentiert, um eine Steigerung der Kondensatorfläche zu erreichen. Zusätzliche Informationen bietet der Report Arbeitsspeicher: Die neuen Standards im Überblick. (uba)

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