Infineon: Erste Muster von 256-MBit-RLDRAM

Infineon liefert erste Muster seiner 256-MBit-RLDRAM-Chips (Reduced Latency DRAM) aus. Die DDR-SDRAM-Speicherbausteine sind laut Infineon für schnelle Netzwerk- und Cache-Applikationen ausgelegt.

Herstellerangaben zufolge arbeitet das RLDRAM mit einer Taktfrequenz von bis zu 300 MHz und hat ein DDR-Interface. Der jetzt verfügbare 256-MBit-Baustein in 8Mx32- oder 16Mx16-Organisation biete eine Datenrate von 2,4 GByte/s und den Zugriff auf 8 interne Speicherbänke.

Laut Infineon basiert das RLDRAM auf einer neuen Speicherarchitektur, die auch bei nicht sequenziellem Zugriff Zykluszeiten von nur 25 ns erlaube. Zum Vergleich: Standard-DRAMs haben Zykluszeiten von etwa 50 ns. Der neue Speicherbaustein soll so die Lücke zwischen SRAM und DRAM schließen.

RLDRAM von Infineon: Die Chips mit schnellen Zugriffszeiten sollen in Routern und Switches die Basis für hohe Bandbreiten bilden.

Für die Entwicklung hat sich Infineon mit Micron zusammengeschlossen, wir berichteten. "Micron wird RLDRAM als wichtige Komponente für die weltweite Netzwerk-Infrastruktur unterstützen, damit die Industrie die erforderlichen Datenraten angesichts der steigenden Nachfrage bei der Bandbreite und den Diensten bereitstellen kann", sagte Jerry Johnson, Marketing-Director bei Micron Technology.

Das neue RLDRAM ist in einem T-FBGA-Gehäuse (Thin-Fine Pitch Ball Grid Array) verfügbar, das neben geringen Abmessungen die nötigen elektrischen und thermischen Eigenschaften biete. Vorerst bestehe das RLDRAM-Produktangebot von Infineon und Micron aus 256-MBit-Komponenten und werde mit 300-, 250- und 200-MHz-Taktraten angeboten. Die von Infineon verfügbaren Muster mit 200 MHz kosten 54 US-Dollar. (uba)