Infineon: Erste Muster von 256-MBit-RLDRAM

Infineon liefert erste Muster seiner 256-MBit-RLDRAM-Chips (Reduced Latency DRAM) aus. Die DDR-SDRAM-Speicherbausteine sind laut Infineon für schnelle Netzwerk- und Cache-Applikationen ausgelegt.

Herstellerangaben zufolge arbeitet das RLDRAM mit einer Taktfrequenz von bis zu 300 MHz und hat ein DDR-Interface. Der jetzt verfügbare 256-MBit-Baustein in 8Mx32- oder 16Mx16-Organisation biete eine Datenrate von 2,4 GByte/s und den Zugriff auf 8 interne Speicherbänke.

Laut Infineon basiert das RLDRAM auf einer neuen Speicherarchitektur, die auch bei nicht sequenziellem Zugriff Zykluszeiten von nur 25 ns erlaube. Zum Vergleich: Standard-DRAMs haben Zykluszeiten von etwa 50 ns. Der neue Speicherbaustein soll so die Lücke zwischen SRAM und DRAM schließen.

RLDRAM von Infineon: Die Chips mit schnellen Zugriffszeiten sollen in Routern und Switches die Basis für hohe Bandbreiten bilden.
RLDRAM von Infineon: Die Chips mit schnellen Zugriffszeiten sollen in Routern und Switches die Basis für hohe Bandbreiten bilden.
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Für die Entwicklung hat sich Infineon mit Micron zusammengeschlossen, wir berichteten. "Micron wird RLDRAM als wichtige Komponente für die weltweite Netzwerk-Infrastruktur unterstützen, damit die Industrie die erforderlichen Datenraten angesichts der steigenden Nachfrage bei der Bandbreite und den Diensten bereitstellen kann", sagte Jerry Johnson, Marketing-Director bei Micron Technology.

Das neue RLDRAM ist in einem T-FBGA-Gehäuse (Thin-Fine Pitch Ball Grid Array) verfügbar, das neben geringen Abmessungen die nötigen elektrischen und thermischen Eigenschaften biete. Vorerst bestehe das RLDRAM-Produktangebot von Infineon und Micron aus 256-MBit-Komponenten und werde mit 300-, 250- und 200-MHz-Taktraten angeboten. Die von Infineon verfügbaren Muster mit 200 MHz kosten 54 US-Dollar. (uba)