Infineon: Erste 2-GByte-DDR2-SO-DIMM-Notebooks

Die Infineon Technologies AG kündigt an, dass erste Entwicklungsmuster von 2-GByte-DDR2-Speichermodulen auf Basis der Dual-Die-Technologie verfügbar sind.

Die Module werden mit achtzehn 2-Gbit-Dual-Die-DDR2-Speicherkomponenten gefertigt und erreichen damit die aktuell maximale Speicherkapazität von 2 GByte bei einer Moduldicke von nur 3,8 mm und einer Standardhöhe von 30 mm. Die Module sind mit zwei Speicherrängen organisiert und arbeiten mit 1,8 Volt.

Rekordhalter: Die derzeit größten und sparsamsten SO-DIMMs. (Quelle: Infineon)

Die Dual-Die-DDR2-Komponenten haben laut Infineon die industrieweit geringste Leistungsaufnahme: Die aktive Leistungsaufnahme ist um 30 Prozent niedriger als alternative Lösungen, während das thermische Verhalten durch die reduzierte Abwärme um ein Drittel verbessert wird. Infineon gibt an, auch bei der Dual-Die-Technologie, bei der zwei identische Chips (Dies) in einem BGA (Ball Grid Array)-Gehäuse gestapelt werden, industrieweit führend zu sein. Die Dual-Die-Technologie ist eine Voraussetzung, um die nächste hochkomplexe Generation von Speichermodulen ohne signifikant größere Abmessungen fertigen zu können, so Infineon.

Laut Marktstudien von iSuppli wird die Nachfrage nach Notebooks von 36,1 Millionen Einheiten in 2003 auf etwa 52,2 Millionen Einheiten in 2006 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 13 Prozent wachsen. (mec)

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