Infineon: DDR333-Speicher mit 1 GByte
Durch das FBGA-Gehäuse benötigen die neuen DDR333-DIMMs laut Infineon 60 Prozent weniger Leiterplattenfläche als TSOP-II-Gehäuse. Auch der elektrische Widerstand sei im FBGA-Gehäuse mit 0,12 Ohm gegenüber 0,23 Ohm bei TSOP II um fast 50 Prozent geringer, sagte Produktmanager Matthias Buchner auf der Pressekonferenz in München.
Die 1-GByte-DDR333-Speicher sind in zwei Bänken zu 128 MBit x 72 organisiert und benötigen 2,5 Volt für die Spannungsversorgung und 1,25 Volt für Signale. Erste Muster sind ab sofort für 1300 US-Dollar erhältlich; die Volumenproduktion soll in Kürze starten. Preise dafür gab Infineon allerdings nicht bekannt.
Zudem stellte das Unternehmen einen 128-MBit-DDR-Grafikspeicher mit 450 MHz und einer Bandbreite von bis zu 3,6 GByte/s vor. Dadurch sei der Chip sehr gut für 3D-Anwendungen geeignet, sagte Produktmanager Noel Clarke gegenüber tecCHANNEL. Die CAS-Latency soll mit 450 MHz bei 6 ns liegen.
Durch eine E/A-Spannung von 1,8 Volt hat Infineon eigenen Angaben zufolge die Leistungsaufnahme "erheblich" reduziert. Genaue Werte nannte das Unternehmen nicht. Erste Muster des Grafik-RAMs sollen im zweiten Quartal 2002 zu einem Preis von 9,95 US-Dollar erhältlich sein. Im vierten Quartal 2002 will Infineon mit der Volumenproduktion beginnen, Preise hierfür sind noch nicht bekannt. (jma)
Gratis: tecCHANNEL-News für PDAs