IDF: Silizium-Roadmap - 8 nm im Jahr 2017

Die Fertigung von Intels aktuellen Prozessorfamilien erfolgt mit einer Strukturbreite von 90 nm. Das Gate besitzt dabei eine Länge von 50 nm. Mit dem Pentium-M-Nachfolger Yonah führt Intel zum Jahreswechsel 2005/06 den 65-nm-Prozess ein. Die Gate-Länge schrumpft auf 30 nm. Mit diesem Schritt unterschreitet die Strukturbreite des Siliziums den Durchmesser einer Virus-Zelle.

Bereits im Jahr 2007 will Intel laut Paolo Gargini, Director Technology Strategy, die Chipfertigung auf 45 nm umstellen. Die Transistoren operieren dann über ein nur noch 20 nm langes Gate. Intel will beim 45-nm-Prozess erstmals ein High-k-Gate-Dielektrikum einsetzen. Statt Polysilizium soll dann auch ein Metall-Gate zum Einsatz kommen. Wenn zwei Jahre später auf den 32-nm-Prozess übergegangen wird, setzt Intel auf den noch experimentellen Tri-Gate-Transistor. Das Gate setzt sich dabei aus einem Top-Gate zwischen Source und Drain sowie zwei seitlichen Gates zusammen. Durch dieses Dreier-Gate sollen sich die Schaltzeiten verringern und die Leckströme gleichzeitig reduzieren.

Im Jahr 2011 gehen Wafer - immer noch mit 300 mm Durchmesser - mit einer Strukturbreite von 22 nm in Produktion. Das Gate misst dann nur 10 nm. Bis zum Jahr 2017 folgt in weiteren zwei Schritten eine Schrumpfkur auf 8 nm Strukturbreite. Die Gate-Länge reduziert sich laut Intels Ausblick auf 3 nm. Zum Vergleich: Die menschliche DNA besitzt eine Breite von zirka 12 nm. (cvi)

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