IDF: Silizium-Roadmap - 22 nm im Jahr 2011

Intel gibt auf dem Intel Developer Forum einen Ausblick auf die Silizium-Technologie der nächsten acht Jahre. Während Ende 2003 der Umstieg auf den 90-nm-Prozess ansteht, soll es im Jahr 2011 Prozessoren mit einer Strukturbreite von nur 22 nm geben.

Die Fertigung von Intels aktuellen Prozessorfamilien erfolgt mit einer Strukturbreite von 130 nm. Das Gate besitzt dabei eine Länge von 70 nm. Mit dem Pentium-4-Nachfolger Prescott sowie dem neuen Pentium M mit Code-Name Dothan führt Intel den 90-nm-Prozess ein. Die Gate-Länge schrumpft auf 50 nm. Mit diesem Schritt unterschreitet die Strukturbreite des Siliziums bereits den Durchmesser einer Viruszelle.

Bereits im Jahr 2005 will Intel laut President und Chief Operating Officer Paul Otellini die Chipfertigung auf 65 nm umstellen. Die Transistoren operieren dann über ein nur noch 30 nm langes Gate. Wenn zwei Jahre später auf den 45-nm-Prozess übergegangen wird, setzt Intel auf den noch experimentellen Tri-Gate-Transistor. Das Gate setzt sich dabei aus einem Top-Gate zwischen Source und Drain sowie zwei seitlichen Gates zusammen (siehe folgendes Bild). Durch dieses Dreier-Gate sollen sich die Schaltzeiten verringern und die Leckströme gleichzeitig reduzieren. Ebenfalls im Jahr 2007 will Intel bereits mit 20-nm-Prototypen experimentieren.

Im Jahr 2009 sollen Wafer mit einer Strukturbreite von 32 nm in Produktion gehen. Silizium-Prototypen im 15-nm-Prozess sind dann in der Erforschung. Der Ausblick von Otellinis Silizium-Roadmap endet im Jahr 2011: Die Strukturbreite ist bei 22 nm angelangt - Prototypen bereits beim 10-nm-Prozess. Zum Vergleich: Die menschliche DNA besitzt eine Breite von zirka 12 nm.

Über andere Halbleitertrends informieren die Reports Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie und Die Jagd nach dem 15-Nanometer-Transistor. (cvi)