IDF: Rambus demonstriert erstmals 3,2-GHz-XDR-DRAM

Bandbreite von über 100 GByte/s geplant

Die zweite Neuerung bei XDR-DRAMs sind die Differential Rambus Signaling Levels (DRSL). DRSLs arbeiten mit einem extrem niedrigen Signalhub von 200 mV. Die Signalpegel liegen bei einer Spannung von 1,0 und 1,2 V. Außerdem hat Rambus die bidirektional arbeitende Terminierung mit DRSL auf den Chip verlagert. Durch das Differentialsignal werden zwei Leitungen statt bislang eine pro Signal benötigt. Somit entfällt der Designvorteil der geringen Leitungsanzahl.

Speichermodule mit XDR-DRAM bezeichnet Rambus als XDIMMs. Die ersten Module bieten im Jahr 2006 eine Bandbreite von 12,8 bis 25,6 GByte/s. Dabei besitzen die XDIMMs den gleichen Formfaktor und dieselbe Pin-Anzahl wie DDR2-Module. Die Roadmap von Rambus sieht in den folgenden Jahren XDIMMs mit 128 Bit Datenbreite und 6,4 GHz Taktfrequenz vor. Diese Module bieten dann eine Bandbreite von über 100 GByte/s.

Wie Steven Woo, Principal Engineer bei Rambus gegenüber tecCHANNEL äußerte, befinde man sich im ständigen Kontakt mit den großen Chipsatz-Herstellern. Mit XDR-DRAM bestehen für Rambus durchaus Chancen für einen "zweiten Frühling" im PC-Bereich. (cvi)

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