IDF: Rambus demonstriert erstmals 3,2-GHz-XDR-DRAM

Rambus demonstriert auf dem Intel Developer Forum erstmals lauffähige Samples des XDR-DRAM. Der Speicher von Toshiba arbeitet mit 3,2 GHz Taktfrequenz und soll 2006 auch als Arbeitsspeicher in PCs dienen.

Die erste öffentliche Demonstration von 3,2-GHz-XDR-DRAM-Speicher sieht Rambus als großen Schritt für die künftige Massenproduktion. Bei der Vorführung verwendet Rambus 512-MBit-XDR-DRAMs von Toshiba. Der neue Speicher soll 2006 in PCs Einzug halten. Neben Toshiba haben bereits Elpida und Samsung die XDR-Technologie lizenziert. Die Serienproduktion des XDR-Speichers soll noch Ende 2004 beginnen.

XDR-DRAM im Betrieb: In der Bildmitte sehen Sie zwei 512 MBit XDR-DRAMs von Toshiba. Unter dem schwarzen Kühlkörper versteckt sich der Speicher-Controller.

XDR-DRAM-Chips wird es mit einer variablen Datenbusbreite von 1 bis 32 Bit geben. Die Taktfrequenz beträgt dabei 3,2 GHz und lässt sich auf bis zu 6,4 GHz hochskalieren. Ein beispielsweise 16 Bit breites XDR-DRAM erlaubt damit Bandbreiten von 6,4 bis 12,8 GByte/s. Mit der XDR-Technologie bietet Rambus somit eine vielfach höhere Datentransferrate als DDR/DDR2-SDRAM. Kernstück der XDR-Technologie ist der "octal-pumped" betriebene Datenbus. Bei einer realen Taktfrequenz von 400 bis 800 MHz werden pro Taktzyklus durch ODR (Octal Data Rate) acht Bits mit der steigenden und fallenden Flanke übertragen. Dadurch ergeben sich die effektiv sehr hohen Taktfrequenzen von 3,2 bis 6,4 GHz. Aktuelles PC1066-RDRAM arbeitet mit einer Taktung von 533 MHz - durch Ausnutzung beider Flanken mit effektiven 1066 MHz.

Highspeed-Speicher: Die XDR-DRAMs arbeiten effektiv mit 3,2 GHz Taktfrequenz. Durch ODR werden pro Taktyklus acht Bits übertragen. Im Bild sehen Sie Schreib- und Lesezugriffe auf das XDR-DRAM.