IDF: Intel engagiert sich im Handy-Sektor

Intels Vize-Präsident Ron Smith hat auf dem IDF noch für dieses Jahr neue Prozessoren und Speicher für Handys der dritten Generation angekündigt. Um flexibler zu sein, werden die 0,18-Mikron-Flash-Speicher auf den selben Produktionslinien hergestellt, wie die aktuellen Coppermine-CPUs.

Unabhängige Studien der Marktforschungsinstitute IDC und Dataquest prognostizieren bis zum Jahr 2003 über eine Milliarde Handynutzer. Die dann erhältlichen multifunktionalen Handys werden 20-mal mehr Speicher und eine zehnmal höhere Rechenleistung als heutige Mobiltelefone besitzen. Um sich diesen attraktiven Markt zu erschließen, beginnt Intel noch in diesem Jahr mit der Auslieferung zweier Schlüsselkomponenten: Flash-Speicher in 0,18-Mikron-Technologie und der StrongARM-II-Prozessor.

Gleich an drei Produktionsstädten, der Fab 11, 15 und 23, sollen Flash-Speicher in 0,18 Mikron hergestellt werden. Die Strukturbreite und der Fertigungsprozess entspricht weit gehend dem der aktuellen Coppermine-CPUs. Dadurch ist es Intel möglich, innerhalb kurzer Zeit eine Fab von Prozessor- auf Speicherfertigung umzustellen und so flexibel auf die erhöhte Nachfrage zu reagieren. Im Jahr 2001 erwartet Intel einen Anteil von 50 Prozent in 0,18-Mikron-Technologie gefertigten Flash-Speicher. 40 Prozent des Speichers soll im 0,25-Mikron- und zehn Prozent in 0,40-Mikron-Prozess hergestellt werden.

Als Prozessor für die Zukunft-Handys propagiert Intel den StrongARM II. Laut Smith zeichnet er sich durch hohe Rechenleistung bei extrem geringer Leistungsaufnahme aus. So soll er bei über 600 MHz Taktfrequenz und 750 MIPS Rechenleistung weniger als ein halbes Watt verbrauchen. Ist weniger Rechenleistung erforderlich, kann die Versorgungsspannung von 1,3 bis auf 0,7 Volt reduziert werden. Dann benötigt der StrongARM II bei einer Taktrate von 150 MHz und einer Rechenleistung von 188 MIPS nur noch 40 Milliwatt. Erste Produkte mit dem StrongARM II erscheinen noch in diesem Jahr. (ala)