IDF: Intel demonstriert FB-DIMM

Intel hat auf dem Intel Developer Forum die neue Speichermodul-Technologie Fully Buffered DIMM erstmals im Betrieb gezeigt. Die Technologie erlaubt trotz steigender SDRAM-Taktfrequenz einen Ausbau der maximalen Speicherkapazität.

Unter dem Namen FB-DIMM verbirgt sich die Bezeichnung "Fully Buffered DIMM". FB-DIMM repräsentiert eine neue Speichermodul-Technologie. Sie soll im Server-Umfeld sicherstellen, dass trotz steigender Memory-Taktfrequenz der maximale Speicherausbau eines Systems nicht verringert werden muss, sondern sogar erhöht werden kann. Der Initiator Intel will in der ersten Jahreshälfte 2006 mit dieser neuen Generation von Speichermodulen auf den Markt kommen.

Demo: Intel zeigt Prototypen von FB-DIMMs im Betrieb. Das Oszilloskop zeigt die Signalqualität bei einem DDR2-SDRAM-Chip an.

Das FB-DIMM unterstützt DDR2- und DDR3-Speicherbausteine. In der Demonstration der Prototypen verwendete Intel DDR2-533-SDRAM-Chips. Jedes FB-DIMM besitzt neben den Speicherchips einen speziellen so genannten Hub-Buffer-Baustein. Dieser Buffer-Chip stellt über 24 differenzielle Leitungspaare eine Verbindung zum Memory Controller her.

Über diesen Bus und den Treiberchip gelangen Steuerinformationen und Daten vom Speicher-Controller zu den Speichermodulen und umgekehrt. So entlasten FB-DIMMs ähnlich wie Registered-DIMMs die Adress- und Steuerleitungen durch einen dazwischen geschalteten Treiberbaustein.

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