IDF: DDR3-1066-Speicher im Jahr 2006

Intel hat auf dem Intel Developer Forum einen Ausblick auf die nächste Speichergeneration DDR3-SDRAM gegeben. Erste Module für PCs werden im Jahr 2006 mit einer Geschwindigkeit von 1066 MHz erscheinen.

Intel sowie das JEDEC-Gremium und die Speicherhersteller arbeiten derzeit an der Definition von DDR3, der nächsten Speichergeneration. DDR3 ist eine evolutionäre Weiterentwicklung der DDR2-Speichertechnik und bietet höhere Bandbreiten bei niedrigerer Leistungsaufnahme.

Während DDR2-SDRAM-Chips eine Core-Spannung von 1,8 V benötigen, begnügt sich DDR3-Speicher mit 1,5 V. Zur weiteren Energieeinsparung beherrscht DDR3-SDRAM effizientere Powermanagement-Modi. Fortschritt verspricht DDR3-Speicher auch durch 15 bis 20 Prozent niedrigere Latenzzeiten beim Lesen von Daten. Der Steckplatz von DDR3-Modulen bleibt dagegen bis auf die versetzte Markierungskerbe unverändert im Vergleich zu DDR2-DIMMs.

Mit einer 8-Bit-Prefetch-Technologie erlaubt DDR3-SDRAM bei gleicher realer Taktfrequenz höhere Bandbreiten als DDR2-SDRAM mit 4-Bit-Prefetch. Erste, 2006 auf den Markt kommende, DDR3-Module arbeiten mit einer effektiven Taktfrequenz von 800 und 1066 MHz.

Vor der Markteinführung von DDR3-Speicher gibt es aber noch weitere DDR2-SDRAM-Varianten. So wird derzeit an der Finalisierung der Spezifikation von DDR2-677 gearbeitet. Speicherhersteller wie Samsung stehen mit der Produktion bereits in den Startlöchern. Im Jahr 2005 folgen dann DDR2-800-Speichermodule. Laut Intel gibt es bei DDR2-800 zusätzliche technische Herausforderungen wie engere AC-Timings. Außerdem erfordert dieser Speicher ein verbessertes DIMM- und Mainboard-Design. Ausführliche Informationen zu neuen Speichertechnologien finden Sie in dem Artikel Arbeitsspeicher: Die neuen Standards im Überblick. (cvi)

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