IBM: Schnelle, sparsame Chips für mobile Geräte

IBM hat ein Chipdesign für drahtlose Geräte angekündigt, mit dem der Strombedarf um 80 Prozent sinken soll. Wahlweise könne auch die Leistung der neuen Chips um das Vierfache der derzeit verfügbaren gesteigert werden.

IBM ist es nach eigenen Angaben erstmals gelungen, CMOS und SiGe-Bipolar-Transistoren gemeinsam auf einem SOI-Wafer zu platzieren. Bislang scheiterte die Industrie nach Angaben von IBM an dieser Kombination, da traditionelle SiGE-Bipolar-Transistoren nicht auf einem solchen SOI-Wafer erzeugt werden konnten. IBM hat es nun geschafft, SiGE-Bipolar-Transistoren unter Verwendung eines SOI-Wafers herzustellen.

Stromsparer: IBMs bipolarer Transistor mit SiGe-Basis auf einem CMOS-kompatiblen SOI-Wafer. Quelle: IBM Research

Die Serienreife könnte die Technologie in den nächsten fünf Jahren erreichen, teilte IBM mit. Die Leistung würde etwa ausreichen, um Video-Streams auf Mobiltelefonen zu ermöglichen. Details will der Hersteller auf dem 2003 Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting in Toulouse präsentieren.

Zusätzliche Informationen finden Sie im Report Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie. (uba)