IBM eröffnet 300-mm-Fab

IBM hat nahe New York ein modernes Werk für 300-Millimeter-Wafer eröffnet. In der Fab sind Fertigung und Entwicklung untergebracht.

Dass die Halbleiter-Fertigungsstätte im Staat New York (East Fishkill) gebaut wurde, ist kein Zufall. IBM hat Verträge mit dem US-Bundesstaat geschlossen und will eng mit den Universitäten zusammenarbeiten.

Das Werk soll alle modernen Fertigungstechniken wie SOI und Kupferverdrahtung vereinen. Die 300-Millimter-Wafer dienen als Grundlage für Foundry-Services ebenso wie für IBMs eigene High-End-Chips. Strukturbreiten mit unter 100 Nanometern sind angestrebt. Zum Betrieb der fast völlig automatisierten Fertigungsstraße sind 1700 Prozessoren im Einsatz, die auf 110 TByte Speicher zurückgreifen können.

In der Fab habe die Arbeit an Prototypen für Kunden bereits begonnen. Die Massenfertigung soll Ende des Jahres starten. IBM gibt für das Werk ein Investitionsvolumen von 2,5 Milliarden US-Dollar an.

Zusätzliche Informationen zum Thema bieten die Reports Schnellere Prozessoren mit SOI-Technologie und Kupfer in der Halbleiterfertigung. (uba)