Hynix stellt 512 Mbit GDDR4 DRAM vor

Der koreanische Speicherhersteller Hynix hat die Verfügbarkeit seines 512 Mbit GDDR4 DRAM angekündigt, der speziell in Grafiksystemen eingesetzt werden soll. Das Unternehmen will in diesen Tagen beginnen, Samples zu produzieren und an die Anbieter von Grafikchipsätzen ausliefern. Weiter teilte das Unternehmen mit, die Massenproduktion werde Anfang 2006 beginnen.

Damit bringt Hynix nun die vierte Generation von Speichern für Grafiklösungen, die nach Unternehmensangaben fast doppelt so schnell wie GDDR3-Module arbeiten sollen. Der Hynix 16Mx32 512 Mbit GDDR4 erreicht eine Geschwindigkeit von 2,9 Gbps sowie einen Datendurchsatz von 11,6 GByte pro Sekunde. Damit eigne sich der Chip hervorragend für den Einsatz in Game-Konsolen und für PCs auf 64-Bit-Basis.

Der Konkurrent Samsung hatte Ende Oktober die Entwicklung eines 256-Mbit-GDDR4-Speichers angekündigt. Er soll 2,8 Gbps schnell sein und im zweiten Quartal 2006 in die Massenproduktion kommen. (uka)