Faktor 1000: Infineon und IBM zeigen schnelles MRAM

IBM und Infineon haben auf dem VLSI Symposium in Hawaii den Prototyp eines neuartigen 16-MBit-MRAM vorgestellt. Im Vergleich zu herkömmlichem Flash-Speicher, wie er in USB-Sticks zum Einatz kommt, soll der neue Speicher um den Faktor 1000 schneller sein.

Magnetoresistives Random Access Memory (MRAM) kombiniert die Geschwindigkeit von SRAM und die hohe Anzahl der Schreibzyklen von DRAM mit der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speicher. Um dies zu erreichen, werden die Daten nicht mit elektrischen, sondern mit magnetischen Ladungen gespeichert. Damit bleiben die Daten wie bei einer Festplatte auch nach unterbrochener Stromzufuhr erhalten. Denkbar sind damit etwa PCs, die auf Knopfdruck gebootet sind und ihre Daten auch bei einem Stromausfall nicht verlieren. Zudem brauchen die MRAM-Speicher durch die Nichtvolatilität weniger Strom, was eine längere Laufzeit für mobile Geräte ermöglicht.

Der Prototyp ist laut den beiden Unternehmen nicht nur um den Faktor 1000 schneller als Flash-Speicher, er soll auch eine weitaus längere Haltbarkeit aufweisen, was die Anzahl der Speichervorgänge betrifft.

Auf lange Sicht könnte durch die Technologie herkömmlicher RAM ersetzt werden, um eine Brücke zwischen schnellem, aber flüchtigem Arbeitsspeicher und langsamen, aber dauerhaftem Massenspeicher zu schlagen, meldet Infineon. Wann MRAM für den Massenmarkt produziert werden soll, wurde nicht mitgeteilt. (mja/uba)

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