CeBIT: 4-Channel RDRAM-Chipsatz von SiS

Silicon Integrated Systems kündigt zusammen mit Samsung Electronics und Rambus die gemeinsame Entwicklung des SiSR659 an. Der High-End-Chipsatz nutzt vier Speicherkanäle für 1200-MHz-RDRAM-Speicher.

Während Intel die Weiterentwicklung von RDRAM-basierenden Chipsätzen eingestellt hat, fängt SiS gerade damit an. Nach dem im August 2002 vorgestellten Dual-Channel-RDRAM-Chipsatz SiSR658 wurde nun das nächste Produkt angekündigt. Mit dem Speicherhersteller Samsung und dem Technologie-Unternehmen Rambus als Partner arbeitet SiS nun am 4-Channel-RDRAM-Chipsatz SiSR659.

SiS will mit dem SiSR659 High-End-Computer und den Multimedia-Spiele-Markt adressieren. Durch die vier 1200-MHz-RDRAM-Channels erreicht der SiSR659 eine theoretische Speicherbandbreite von 9,6 GByte/s (1000er Basis). Gegenüber herkömmlichen Dual-Channel-DDR-SDRAM-Chipsätzen böte der SiSR659 laut Hersteller somit die doppelte Bandbreite. Der SiSR659 kann bis zu 16 GByte Arbeitsspeicher adressieren. "Die 4-Kanal-RDRAM-Architektur ist eine richtungsweisende und elegante Lösung, um Speicherbandbreite zu erhöhen", so Tae Sung Jung, Vice President Memory Product Planning and Engineering bei Samsung. Billig wird die Ausstattung von PCs mit dem SiSR659 allerdings nicht, denn es sind immerhin vier RIMM-Module für die Bestückung notwendig. Ob der SiSR659 auch RIMM32-Module unterstützt, wurde noch nicht bekannt gegeben.

Dem SiSR659-Chipsatz steht als Southbridge der SiS964 zur Seite. Der Baustein bietet als Highlight bis zu acht USB-2.0-Ports sowie Serial-ATA. Die Auslieferung von Mustern des SiSR659-Chipsatzes ist für das dritte Quartal 2003 geplant. (cvi)

SiS: Halle 23 Stand B16