AMD: Zehnfach leistungsfähigere Transistoren

So könne auf einer Chipfläche, auf der heute 100 Millionen Transistoren Platz finden, in Zukunft eine Milliarde Transistoren untergebracht werden. Die Struktur von Double-Gate-Transistoren verdoppelt effektiv den Strom, der durch einen Transistor geleitet werden kann.

Das Fin Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen, vertikalen Siliziumlamelle, die den Leckstrom minimiert, solange der Transistor im nicht leitenden Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht laut AMD, neue Chips mit mehr Leistung und kleineren Maßen herzustellen.

"Die Transistorentwicklung ist entscheidend, wenn es darum geht, immer leistungsfähigere Produkte für unsere Kunden zu entwickeln", so Craig Sander, Vice President Technology Development von AMD. "Die gesamte Halbleiterindustrie arbeitet mit Hochdruck daran, den wachsenden Herausforderungen gerecht zu werden, die bei der Entwicklung neuer Transistoren entstehen, die kleiner und leistungsstärker sind und zugleich nur eine geringe Abweichung von den heutigen Standardherstellungsverfahren aufweisen dürfen. (fkh)