AMB: Infineon testet neuen Speicher-Chip für Server

Infineon hat nach eigenen Angaben mit dem erfolgreichen Test eines Advanced-Memory-Buffer-Chips einen großen Fortschritt bei der Entwicklung von Server-Speicher der nächsten Generation erzielt.

Advanced-Memory-Buffer-(AMB)-Chips sind die zentrale Komponente von Fully-Buffered-(vollständig gepuffertem)-Dual-Inline-Memory-Modulen (FB-DIMM). FB-DIMM basiert auf der DDR2-DRAM-Technologie und gilt als künftiger Server-Standard.

Bisherige Architekturen der Speichermodule sind parallel an den Speicher-Bus gebunden, eine so genannte Multi-Drop-Bus-Architektur. Die Bus-Architektur der FB-Dimms erstellt eine Point-to-Point-Verbindung zwischen dem Speicher-Controller und dem ersten Speichermodul sowie den folgenden Speichermodulen. Dieser Aufbau ermöglicht einen von der DRAM-I/O-Geschwindigkeit unabhängigen Bus-Zugriff, wodurch sowohl eine höhere Speicherkapazität als auch eine größere Geschwindigkeit ermöglicht wird.

Der nun getestet AMB-Chip befindet sich auf jedem FB-DIMM. Der Chip puffert die Daten intern, sendet und empfängt sie vom nächsten DIMM oder dem Speicher-Controller. AMB sorgt also für die Verteilung der Daten zwischen DIMM und DRAM. Er implementiert die schnellen I/O-Stufen mit anderen Hochgeschwindigkeitsmerkmalen, wie den Schaltungen für den Dateneingang bzw. -weitergabe, auf einem Logikprozess von Infineon.

Der FB-DIMM-Standard sieht ein Daten-Multiplexing mit dem Faktor 6 vor, dass bei höheren Geschwindigkeiten die notwendige physikalische Speicherkanalbreite reduziert und die Latenzzeit minimiert. Die maximal erforderliche Datenrate pro I/O-Pin beträgt 4,8 GBit/s (bei DDR2 800). Die Datenrate des getesteten Moduls lag bei 6,0 GBit/s, damit sollen ausreichend System-Ressourcen bei geringsten Bitfehler-Raten erreicht werden. Laut Infineon sollen Entwicklungsmuster des FB-DIMMs mit DDR2-DRAM-Chips ab dem 4. Quartal 2004 verfügbar sein. Die Markteinführung ist für die zweite Jahreshälfte 2005 geplant. (mja/uba)

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