90-nm-Flashspeicher von Samsung

Samsung hat in Seoul eine neue Prozesstechnologie vorgestellt, mit der sich ICs mit Strukturgrößen von 90 nm herstellen lassen. In einem Pilotprojekt hat das Unternehmen damit bereits 2-GBit-NAND-Flash-Speicher gefertigt.

Die NAND-Flash-Speicher im 90 nm Design erreichen eine Kapazität von 2 GBit und sind dabei nicht größer als ein Daumennagel. Die 2-GBit-Typen will Samsung als die Standardlösung für den Einsatz in mobilen tragbaren Geräten etablieren. Mit den Flash-Speichern lassen sich auch externe Speicherkarten mit einer Kapazität von 4 GByte aufbauen.

Das Unternehmen prognostiziert, dass der weltweite Markt für Flash-Speicher im Jahr 2002 einen Umsatz von 8 Milliarden US-Dollar erreicht und bis 2005 auf 14 Milliarden Dollar steigen wird. Daher plant Samsung, die Produktionskapazität für Flash -Speicher deutlich auszuweiten. Ab der zweiten Hälfte 2003 sollen die 90-nm-Flashspeicher neben 512-MBit- und 1-GBit-DRAMs deshalb in einer neuen 300-mm-Fab hergestellt werden.

Die 90-nm-Prozesstechnologie nutzt dabei vollständig bereits existierende Fertigungseinrichtungen und minimiert auf diese Weise die Investitionskosten. In Zukunft soll die neue Technologie nochmals optimiert werden und dann für Strukturgrößen von nur 70 nm geeignet sein. (ala)